我们非常重视您的个人隐私，当您访问我们的网站时，请同意使用的所有cookie。有关个人数据处理的更多信息可访问
-
产品中心
-
-
LDMOS MMIC
集成Doherty设计，覆盖700M-5GHz应用频率，峰值功率6~12W； 自主28V LDMO♐S 工艺平台，全国产供应； 产品性能国际领先✃，已在国内外关键客户大规模量产。
-
LDMOS 分立器件
峰值功率2💖0W到1500W； 工作频率10MHz到4GHz； 基于自主知识产权的28V和50V LDMOS 工艺平台开发，全国产供应； 封装🌌材料自主开发设计，具有低成本、高可靠性。
-
GaN 分立器件
峰值功率50W到700W； 工作频率最高♊支持6GHz； 第三代化合物半导体工艺，效率更高、工作带宽宽； 封装材料自主开发设计，具有低成本、高气密性、高热导率、高良率。
-
其它塑封器件
峰值功率最大支持20W🍨； 工作频段频率覆盖10M-10GHz; 基于自主知识产权的5V，12V和28V工艺平台开发，全国产供应； 低成本、高性能的产品方案可应用于基站驱动、༒对讲机功放等终端设备。
-
-
-
IGBT
650V，1200V 超级结技术，开关损耗低，芯片ও薄，工作频率高； 混封半/全电流SiC SBD，更高开关频率和效率； TO-247-3或TO-247🌳P-3 标准封装，TO-247-4L 封装开尔文
-
SiC SBD
650V，1200V，1700V 接近于零的恢复损耗𒊎， 可实现高功率密度高效率； 采用MPS结构，具有优良的抗浪涌能力； 采用6''晶圆，交期6-8 周。
-
SiC MOSFET
650V,1200V,170𒈔0V · 15mohm - 1ohm 采用高可靠性和高效率的开尔文结构封装； 采用6''晶圆，成本更优； 适合于新能源汽车，充电桩，储能DC/DC等应用。
-
工业模块
650V 1200V IGBT 1200V SICMOS 低杂散电感，设✱计灵 🎉活，用于光伏和工业电 源市场； 三电平,半桥,PIM拓扑； 电流10A-1000A。
-
车规模块
650V 750🐷V IGBT 1200V SICMOS 针对新能源汽车客户的需求灵活订制不同的车规产品； 单管、半桥和三相桥拓扑；电流300A-90🦂0A。
-
-
-
行业应用
-
通讯射频提供射频核心器件，拥有国际领先的LDMOS 自主工艺和MMIC设计团队，帮助客户快速完成系统开发。
-
再生能源提供可靠高效优质的下一代🥃功率半导体♏，缩短开发时间，同时实现超乎预期的功率密度和超低功率损耗，推动低碳发展。
-
工业控制提供高质量工业级半导体产品，令自动化设计尽可能简单、高效、𒐪可靠。推进新一代工厂和楼宇自动化、能源、医疗保健和运输系统。
-
汽车电子针对关键的汽车电子系统，提供创新的汽车级半导体解决方案。沙巴体育官网已全面布局车规功率，车载芯片能力建设并陆续进入汽车尤其新能源汽车供应体系。
-
消费电子沙巴体育官网自主创新的LDMOS可实现低成本、高性能WiFi射频功放产品，助力大功率WiFi路由器实现突破。
-
非通信射频基于LDMOS工艺，实现了高功率，高鲁棒性。沙巴体育官网2010年开始研究LDMOS工艺，同时引入全球顶尖芯片设计团队，实现了高功率、高可靠性射频解决方案。
-
- 技术支持
- 质量保证
- 加入沙巴体育官网
- 关于我们
